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使用nanoVNA测量电容频率特性!!!

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楼主
本帖最后由 xukun977 于 2019-10-31 17:21 编辑



关于电容的频率特性,网上相关资料成本抓,包括各种信号完整性书籍,都有大量介绍,所以此处略去1万字,只是复制粘贴书上\网上现成的结果。












书上/网上,全都是这样说的,那么实际情形如何呢?我们用nanoVNA来测量一下。

随便找几个待测的电容:















沙发
 楼主 | 2019-10-31 17:24 | 只看该作者
本帖最后由 xukun977 于 2019-10-31 18:02 编辑



第一步,要对仪器进行校准,校准部位是待测器件连接处。













高压陶瓷电容:














有效电容工作频率范围,不过几十MHz,真正的容性范围是3000k左右。

看看上面曲线,是不是和想象的有点不一样。





223J 薄膜电容的频率特性:









10uF贴片电解电容:








板凳
 楼主 | 2019-10-31 18:18 | 只看该作者
本帖最后由 xukun977 于 2019-10-31 18:24 编辑

100uF电容:







仪器最低频率是50k,所以看不到容性区,全是感性区了。





说明:仪器在300M以后,会启动/切换到谐波扩频模式,所以在300M附近,曲线出现不规整变化。










560P高压陶瓷电容:







能工作到数百兆。














地板
 楼主 | 2019-10-31 19:17 | 只看该作者


仪器自身的校准位置是仪器本身自带的插头:






即便是使用仪器附带的20cm延长线,到了200M左右就不行了:





所以,有人说馈线长了就不理想了,那是你校准的位置不对。




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